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Electronics 取り扱い製品及びメーカー ●パワー半導体　IXYS パワー半導体　 (独/USA）（型式検索）　IXYS RF Power Mosfet 　(USA）　Westcode パワー半導体　 (英国） ●LED・LCDオプト製品　　Lumex Inc. (USA/台湾） ●大容量フィルムコンデンサ　　CELEM (France/Israel) ●電子スイッチ・機構スイッチ　　ITW Switch (USA ●パワーコネクタ　 Positronic / 　ポジトロニックジャパン　(USA/シンガポール） ●パワーエレクトロニクス電源用コア・電流センサー　VAC Vacuumschmelze (独) ●EBG高圧大容量レジスタ製品　　EBG (Austria） ●Condorパワーサプライ　　Condor (USA） ●その他 -　パワーケーブル　等々			高耐圧リニアパワーMOSFETは、 500-1200V耐圧、低オン抵抗、広安全動作領域IXYS社は、リニア動作に適したMOSFETシリーズを発表。500V～1,200V耐圧、17A-62Aの広いラインアップにて提供。低オン抵抗、広安全動作領域、アバランシェ耐量を持ち、信頼性の高いリニア動作を実現。

			大電流トレンチMOSFETは、55-100V、0.004Ω～のディスクリートパワーMosfet。ソース及びドレイン端子にそれぞれ2本の端子を割り当て、最大使用可能電流150Aを実現。トレンチ構造による低オン抵抗、放熱性の良いUL承認DCB基板を採用し、優れた熱サイクル特性及び低絶縁熱抵抗を実現。

			高耐圧超高速ソフトリカバリーダイオードソニックシリーズソニックシリーズは、64A/1400-1800Vの高耐圧・超高速ソフトリカバリダイオード。高圧IGBTのスナバ回路や、高周波インバータに最適。

			IXFN100N50P ポーラーHV HiperFETは、RDS(ON)＝ 49mΩ、90A/500Vの大容量高耐圧パワーMOSFET。ネジ端子構造の業界標準Miniblocパッケージ。シャロートレンチ構造の採用により高速・低ロスおよび低コストを実現。寄生内蔵ダイオードもTrr＝200nsと高速で、大容量で高速インバータを必要とする電源用途に最適

			IXYS単相ダイオードブリッジ GBO25シリーズは25A/1200-　1600Vの高耐圧、SIL（シングルインラインパッケージ）の単相ダイオードブリッジ。単相高圧入力の小型機器に最適。

			IXYS逆阻止IGBTは、順逆両方向の耐圧を持つ高速・低ロスIGBT。交流をダイレクトに制御出来るため直流変換の必要がなくなり、画期的な改革が可能となる。　IXRH40N120は連続定格で40A、VCES=±1200V、VCE(sat)=2.2V(typ)、tf=70nS、TO-247パッケージ。

			ゲートチャージ、内部ゲート抵抗を大幅に削減、高周波用途に開発されたIXYS大電流・高耐圧パワーMosfet　Q2シリーズ。500V, 550V, 600V, 1000V, 1200Vのシリーズを揃え、RDS(ON)は0.38-0.07Ω（14-80A)を達成。

			IXYS MCC/MCA500シリーズは、500A / 1200V-1800Vのサイリスタが2個接続された2 in 1のUL認定絶縁型モジュール。従来の低価格・短納期対応の20A-300Aの2 in 1シリーズに加え、大容量化を実現

			IXYS 大容量パワーMosfet　/IGBTゲートドライバIC。　ピーク電流30A、ライズタイム20nS/フォールタイム18nS、動作電圧領域8.5Vから35Vの大容量ゲートドライバIC。

			IXYS RFパワーMOSFET 絶縁パッケージながら低挿入インダクタンス（1.5ｎH）、低熱抵抗（0.23℃/W）で、低プロファイルパッケージを実現。　VDSは100V～1000V、IDは連続定格で1.4A～40A。