ゲートチャージQgを25％、ゲート抵抗Rgを100x 削減

 

[Q2シリーズHiPerFET]　は、ゲートチャージQgおよび内部ゲート抵抗Rgを大幅に削減、高周波用途に開発された大電流・高耐圧パワーMosfet。500V, 550V,
600V, 1000V, 1200Vのシリーズを揃え、RDS(ON)は0.38-0.07Ω（14-80A)を達成。

パッケージはリード端子のTO247非絶縁、絶縁タイプ及びスクリュー端子のSOT-227ミニブロックパッケージ。主な用途はAC-DCパワーサプライ、医療機器、グラジエントMRI、モータードライブ等。