プロダクトニュース
逆阻止IGBT
±1200V耐圧、IC=55A





IXYS Semiconductor

[IXYS IXRH40N120]は、順逆両方向の耐圧を持つ高速・低ロスIGBT。従来のIGBTは逆方向の阻止能力がないため、交流制御には交流-直流-交流の変換による制御が主流となっているが、この逆阻止IGBTの登場により、交流をダイレクトに制御出来るため直流変換の必要がなくなり、画期的な改革が可能となる。 IXRH40N120は連続定格で40A、VCES=±1200V、VCE(sat)=2.2V(typ)、tf=70nS、TO-247パッケージ。用途はマトリックスコンバーターを始めあらゆる交流変換に対応。


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