| 高周波スイッチングパワーＭＯＳＦＥＴ （Fクラス HiPerRF） |
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 IXYS Semiconductor メガヘルツクラスの高周波用途に最適 [Fクラス HiPerRF パワーMOSFET] は、デュアルメタル構造（IXYS特許）の新世代RF、メガヘルツ対応のパワーMOSFET。 500V及び1000V/1.9Ω〜0.085Ω（6A-55A）で、TO-247, スクリュー端子のSOT-227等の業界標準パッケージに収納。高周波SMPS、RFプラズマジェネレーター、RFアンプ等の用途に最適。 プロダクトニュース リストへ IXYS製品検索サイトへ |
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