| 1600V-SIL-単相ダイオードブリッジ |
 |
 IXYS Semiconductor低プロファイル・高耐圧・低価格を実現 “GBO25-12/16NO1”25A/1200-1600Vの高耐圧および、高IFSM=370Aを実現した単相ブリッジダイオード。業界標準の低プロファイル・フルモールド絶縁ケースは高放熱伝導性で、SIL（シングルインラインパッケージ）構造となっている。特にＤＣ（直流）電源装置やＰＷＭ（パルスウィズモジュレーション）インバータなどに最適。 データシートへのリンク プロダクトニュース リストへ IXYS製品検索サイトへ |
Copywrite J REP CORPORATION All Rights Reserved