| 新世代大電流トレンチMOSFET 55V〜100V耐圧、0.004Ω〜 |
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 IXYS Semiconductor[新世代大電流トレンチMOSFET] 大電流、低オン抵抗、低ロスを実現ソース及びドレイン端子にそれぞれ2本の端子を割り当て、最大使用可能電流150Aを実現。トレンチ構造による低オン抵抗、放熱性の良いUL承認DCB基板を採用し、優れた熱サイクル特性及び低絶縁熱抵抗を実現。55V〜100Vまでの品揃え。パッケージは絶縁耐圧最大2500VのISOPLUS i4-Pakにモールド。モーター駆動、バッテリー充電器、DC/DC変換、自動車/産業用途に最適 データシートへのリンク |
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