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RFハイパワーMOSFET
(DEシリーズ)




RF Power MosfetIXYS RF Power Mosfet

RF用途に低インピーダンス、低熱抵抗パッケージを実現

[IXYS RF パワーMOSFET] は、絶縁パッケージながら低挿入インダクタンス(1.5nH)、低熱抵抗(0.23℃/W)で、低プロファイルパッケージを実現しました。 VDSは100V〜1000V、IDは連続定格で1.4A〜40A、全16アイテムのラインアップ。 RFプラズマジェネレーター、 医療解析-MRI、RFポンプレーザー、誘導加熱など、148MHZまでのRFアプリケーションに最適。

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