プロダクトニュース
大容量パワーMosfet/IGBTゲートドライバIC
(ピーク電流30A、ライズタイム、フォールタイム<20nS、最大動作電圧35V(最大定格40V)
SiC MOSFETの駆動に最適



IXD_630シリーズは、ピークソース/シンク電流:30A、最大動作電圧35V(最大定格40V)大容量ゲートドライバIC。、-40℃から +125℃の広い動作温度範囲を持ち、高性能化するIGBT、MOSFETの発熱にも対応。

高キャパシタンス対応、5600pFを25nS以下でドライブ可能です。種々の付加機能があり、ラッチアップ保護、低電圧保護、クロスコンダクション防止等を有します。

パッケージは業界標準の28ピンSIOC、5ピンのTO220、及び表面実装TO-263で利用可能。主な用途はモータドライブ、パルスジェネレータ、スイッチング電源、DC/DCコンバーター、クラスDスイッチングアンプ、パルストランスドライバー等。
SiのIGBT、MOSFETはもちろん、SiC MOSFETの駆動にも最適。


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