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トレンチゲートパワーMOSFET(Gen2シリーズ) 40V - 175V HiPerFET(高速寄生ダイオード内蔵タイプ)あり
型式
IXYS サイト PDF データ
VDSS(V)
RDS(ON) max@ 25℃ (Ω)
ID cont @25℃ (A)
Gate Charge (nC)
CISS (pF)
Rth JC (K/W)
Configuration
Package Type
IXTK600N04T2
40
0.0015
600
590
40000
0.12
Single
TO-264
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