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ジェイレップ株式会社はIXYS半導体の日本正規代理店です。

東京営業所 03-5789-2310

大阪本社  06-6368-2111

取扱い製品PRODUCTS

新製品情報
取り扱い製品及びメーカー

パワー半導体
    IXYS パワー半導体
    (USA)(型式検索)

    IXYS RF Power Mosfet
    (USA)

    Clare / IXYS IC (USA)

    IXYSUK Westcode
    パワー半導体 (英国)

 Powersemパワー半導体
 (ドイツ)



大容量フィルムコンデンサ
    CELEM (Israel)

EBG高圧大容量レジスタ製品
    EBG (Austria)

RF抵抗器・終端器・減衰器
   RF/マイクロウェーブ部品
  同軸固定減衰器・アダプター
    API technologies corp. / INMET(USA)

LED・LCDオプト製品
    Lumex Inc. (USA/台湾)

パワーコネクタ
    Positronic /ポジトロニック
 (USA/シンガポール)

パワーエレクトロニクス
  電源用コア・電流センサー
    VAC Vacuumschmelze (独)

ヒューズ
    SIBA (ドイツ) 

ブスバー、リアクトルなど受動部品
  
EAGTOP(中国) 



サーキットプロテクタ・
 ブレーカー

    大陸 (韓国)

ヒートシンク半導体クリップ
    Aavid Thermalloy (米国)

半導体クリップ・半導体絶縁シート
    Kunze GmbH (ドイツ)

難燃性絶縁シート
 ITW Formex

溶接部材
    Dinse GmbH (ドイツ)

    Trafimet s.p.a. (イタリア)

    Cooptim (ハンガリー)

その他
- パワーケーブル 等々
高耐圧2200Vダイオード
ソーラーパネルシステム保護用のデカップリングダイオード用途に開発された、高耐圧2200V、30Aの整流ダイオード。パッケージはTO-220。低順電圧(VF)、低リーク電流(IRRM)。
2500V超高耐圧パワーMOSFET IXTH1N250はID25 = 1.5A、RDS(on) ? 40ΩのVDSS = 2500VのパワーMosfet。パッケージは産業標準TO-247AD。モールドのエポキシはUL 94 V-0対応。Ciss 1660pF、Qg 41nC
高耐圧リニアパワーMOSFETは、
500-1200V耐圧、低オン抵抗、広安全動作領域IXYS社は、リニア動作に適したMOSFETシリーズを発表。500V〜1,200V耐圧、17A-62Aの広いラインアップにて提供。低オン抵抗、広安全動作領域、アバランシェ耐量を持ち、信頼性の高いリニア動作を実現。
大電流トレンチMOSFETは、55-100V、0.004Ω〜のディスクリートパワーMosfet。ソース及びドレイン端子にそれぞれ2本の端子を割り当て、最大使用可能電流150Aを実現。トレンチ構造による低オン抵抗、放熱性の良いUL承認DCB基板を採用し、優れた熱サイクル特性及び低絶縁熱抵抗を実現。
高耐圧 超高速ソフトリカバリーダイオード ソニックシリーズ
 
ソニックシリーズは、64A/1400-1800Vの高耐圧・超高速ソフトリカバリダイオード。高圧IGBTのスナバ回路や、高周波インバータに最適。
IXFN100N50P ポーラーHV HiperFETは、RDS(ON)= 49mΩ、90A/500Vの大容量高耐圧パワーMOSFET。ネジ端子構造の業界標準Miniblocパッケージ。シャロートレンチ構造の採用により高速・低ロスおよび低コストを実現。寄生内蔵ダイオードもTrr=200nsと高速で、大容量で高速インバータを必要とする電源用途に最適
IXYS単相ダイオードブリッジ GBO25シリーズは25A/1200- 1600Vの高耐圧、SIL(シングルインラインパッケージ)の単相ダイオードブリッジ。単相高圧入力の小型機器に最適。
IXYS逆阻止IGBTは、順逆両方向の耐圧を持つ高速・低ロスIGBT。交流をダイレクトに制御出来るため直流変換の必要がなくなり、画期的な改革が可能となる。 IXRH40N120は連続定格で40A、VCES=±1200V、VCE(sat)=2.2V(typ)、tf=70nS、TO-247パッケージ。
ゲートチャージ、内部ゲート抵抗を大幅に削減、高周波用途に開発されたIXYS大電流・高耐圧パワーMosfet Q2シリーズ。500V, 550V, 600V, 1000V, 1200Vのシリーズを揃え、RDS(ON)は0.38-0.07Ω(14-80A)を達成。
IXYS MCC/MCA500シリーズは、500A / 1200V-1800Vのサイリスタが2個接続された2 in 1のUL認定絶縁型モジュール。従来の低価格・短納期対応の20A-300Aの2 in 1シリーズに加え、大容量化を実現
IXYS 大容量パワーMosfet /IGBTゲートドライバIC。 ピーク電流30A、ライズタイム20nS/フォールタイム18nS、動作電圧領域8.5Vから35Vの大容量ゲートドライバIC。
DEI RF MOSFETIXYS RFパワーMOSFET
絶縁パッケージながら低挿入インダクタンス(1.5nH)、低熱抵抗(0.23℃/W)で、低プロファイルパッケージを実現。 VDSは100V〜1000V、IDは連続定格で1.4A〜40A。

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