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トレンチゲートパワーMOSFET(Gen4シリーズ) 36V - 40V HiPerFET(高速寄生ダイオード内蔵タイプ)あり
型式
IXYS サイト PDF データ
VDSS(V)
RDS(ON) max?@ 25℃ (Ω)
ID cont @25℃ (A)
Gate Charge (nC)
CISS?(pF)
Rth JC(K/W)
Configuration
Package Type
IXTN660N04T4
40
0.00085
660
860
44000
0.144
Single
SOT-227
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