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トレンチゲートパワーMOSFET(Gen1シリーズ) 55V - 300V HiPerFET(高速寄生ダイオード内蔵タイプ)あり
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型式
IXYS サイト PDF データ
VDSS(V)
RDS(ON) max?@ 25℃ (Ω)
ID cont @25℃ (A)
Gate Charge (nC)
CISS?(pF)
Rth JC(K/W)
Configuration
Package Type
IXTQ86N20T
200
0.033
86
90
4500
0.27
Single
TO-3P
IXTQ86N25T
250
0.037
86
105
5330
0.23
Single
TO-3P
IXTQ96N25T
250
0.029
96
114
6100
0.2
Single
TO-3P
IXTU12N06T
60
0.085
12
3.4
256
4.5
Single
TO-251
IXTY44N10T
100
0.03
44
27.4
1567
1.15
Single
TO-252
IXUV170N075
75
0.005
175
250
0.5
Single
ISOPLUS220
IXUV170N075S
75
0.0053
175
310
0.5
Single
PLUS220
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